二极管教程
这二极管教程涵盖二极管类型，包括结二极管，点接触二极管，齐纳二极管，变容二极管，古恩二极管等。
二极管允许电流向一个方向流动，而阻止电流向另一个方向流动。它在前进方向上的阻力很小。它在反向或相反方向上有很高的阻力。大多数半导体二极管是由硅或锗制成的。
二极管有两个引线，即阳极和阴极。图描述了二极管符号。阴极的一端有一个带标记。带提到从哪里电流将离开二极管器件时，正偏时，即阳极是正的，阴极是负的。
有几种类型的二极管构造基于应用的使用。它们有结二极管、点接触二极管、齐纳二极管、变容二极管、古恩二极管等。
识别码
二极管有两种识别码，即美式码和常规系统码。
美国系统从1N开始，然后是二极管序列号。例如1N4001。
在传统的系统中，第一个字母表示材料(例如:A为锗，B为硅)和第二个字母(例如A为信号二极管，Y为整流二极管，Z为齐纳二极管)给出二极管类型。例如，AA119是一个锗信号二极管
二极管的参数
在选择二极管进行设计时，考虑了以下两个电气参数。
•我F(平均正向电流):
•VRRM(最大反向电压):
正常情况下不应超过此值。
例如，二极管1N4001有IF1A和V的RRM大约50伏。
结二极管
结二极管由一个p-n结组成，其中一个引线连接到p侧(称为阳极a)，另一个引线连接到n侧(称为阴极K)。图2描述了硅和锗二极管在25℃温度下的典型特性曲线。
结二极管在电源中用作交流到直流转换的整流器。较大的结区将有能力通过较大的正向电流。硅在二极管结构中优于锗，原因如下:
•更低的反向电流(使整流更高效)
•击穿电压更高
•在较高温度下操作
点接触二极管
图中描绘的是锗点接触二极管．如图所示，金丝或钨丝的尖端与n型锗球连接。当有小电流从P-n结流过，在尖端周围形成微小的p区时，P-n结就形成了。
点接触二极管由于其极低的电容被用于检测射频信号。或者是很小的交界区域。与硅相比，锗具有较低的开关电压，因此被用作信号二极管。较低的信号电压开始在正向传导。
齐纳二极管
在正常二极管中，反向偏置增加，直到耗尽层破裂，二极管遭受永久损坏。齐纳二极管是使工作在击穿区域，只要电阻限制电流。它看起来像一个整流二极管。齐纳二极管用于其反向偏置击穿电压．齐纳二极管
Varicap(变容体)二极管
变容二极管用于调谐电视和甚高频无线电台，这将有助于锁定频率到所需的电台。这就是所谓的“自动频率控制”或AFC。
反向偏压时;正结二极管的耗尽层在导体之间起绝缘体的作用，表现为电容器的特性。导线是p型和n型区域。结面积越大，损耗层越薄，电容越大。
大多数二极管被设计成具有最小的电容，但变容二极管的电容被设计成在2到10 pF的范围内，电容的值可以通过改变反向电压来改变耗尽层的宽度。
耿氏振荡器
耿氏振荡器是用n型砷化镓夹在金属电极之间制成的。它被用于微波振荡器。
不同类型的二极管相关链接
耿氏二极管➤变容二极管➤隧道二极管➤PIN二极管➤Impatt二极管vs Trapatt二极管vs Baritt二极管隧道vs普通P-N➤肖特基二极管➤齐纳二极管➤
相关链接
BJT vs FET
Diac vs Triac
光场效应管vs MOSFET
模拟与数字万用表
LED vs激光
麦克风基础及类型
电阻基本知识
电解电容器
电容器的基础
电感器基础