LTE测试| LTE UE测试和测量，EVM，灵敏度
本页涵盖LTE测试，根据LTE终端兼容3GPP一致性测试。它涵盖LTE终端测试和测量，即EVM，接收机灵敏度，最大功率降低，IQ，频谱掩码，ACLR, RSRP等。
本LTE测试和测量教程涵盖LTE基带和RF测量，对UE一致性测试有用。在LTE终端测试期间完成了基本的LTE终端发射机和接收机测试。
LTE终端发射机
LTE测量之后在UE发射机部分进行LTE测试。
最大输出功率
验证UE最大输出功率的误差不超过规定的标称最大输出功率和公差所规定的范围。输出功率超过一定值会干扰附近的信道和无线系统。同时功率不宜太低，发射功率越小，覆盖距离越小。
对于LTE中的E-UTRA频段，从1到14和33到40以及3类规范，限制为23dBm，公差为+/-2 dB
最大功率降低(MPR)
由于更高的调制和传输带宽配置，允许的最大输出功率MPR如下所述。
对于QPSK调制，10MHz BW和RB > 12, MPR <=1dB。
动态(功率控制)
功率控制用于限制干扰水平和补偿信道衰落。验证UE发射机在连续传输或传输间隙较长(即传输间隙大于[x] ms)的非连续传输开始时将其初始输出功率设置为特定值的能力。
在正常情况下，公差极限为+/-10.5dB。
在极端条件下，公差极限为+/-13.5dB。
最小输出功率
这里的测试目的是检查LTE UE传输的最小功率是否符合规定，系统性能是否存在问题。
最小输出功率定义为1毫秒子帧内的平均功率。LTE UE应测试所有支持的信道带宽(包括1.4 MHz,3 MHz,5 MHz,10 MHz,15 MHz和20MHz)的最小功率值为-39dBm。
频率误差
与从E-UTRA节点B接收到的载频相比，UE调制的载频应精确到在一个时隙(0.5ms)周期内观测到的+/- 0.1 PPM。
误差矢量幅度
这是LTE发射机的调制质量测试。此测试用于确保符合EVM的要求。本测试的目的是练习UE发射机，以验证其调制质量的误差矢量幅度。在此测量之前，频率偏移和IQ偏移都是校正的。
对于PUSCH LTE信道，QPSK调制的EVM应为17.5%，16QAM调制的EVM应为12.5%。该限制是在正常工作条件下，在槽位持续时间内，UE输出功率为>= -40dBm。
EVM的测量单位为dB，如上式所示错误误差向量和P的均方根幂是多少裁判为参考星座平均功率。
智商组件
I/Q原点偏置是由串扰或直流偏置引起的干扰。它是一种近似等幅的干涉，与所要信号的幅值无关。I/Q原点偏移干扰被测终端的中心子载波。测量间隔在时域的一个槽上定义。该测试有助于从IQ原点偏移的角度验证UE发射机的调制质量。
相对载波漏电功率(IQ原点偏置功率)不应超过以下:
在全RB分配下，最大撅口- 25dbc的IQ原点偏移量
IQ起始偏移量为-40dBm -10 dBc，满RB
光谱发射掩模
带外发射是由于调制过程和发射机的非线性而直接在标称信道外产生的不需要的发射，但不包括杂散发射。该测试是根据频谱发射掩码和相邻通道漏电功率比指定的。在最大输出功率下测量光谱发射掩模。
相邻通道漏电功率比
该测试的目的是验证UE发射机不会根据相邻信道泄漏功率比(ACLR)对相邻信道造成不可接受的干扰。
ACLR是指定信道上的功率与相邻信道频率上的功率之比。
E-UTRA ACLR1的限制约为-30 dBc
UTRA ACLR1限制约为-33 dBc
UTRA ACLR2限制约为- 36dbc
LTE终端接收机
后续的LTE测量在终端接收器部分进行LTE测试．
LTE接收机灵敏度等级(RX EVM)
分别测量主接收机和分集接收机的接收机灵敏度。低功率电平的EVM测试是为了验证ME满足对接收机灵敏度的要求。
LTE终端测试要求(EVM)
•在所有测试中，变送器应以最大输出功率开启。
•使用的样品数量必须足够保证测量精度<=0.1 dB。
对于带宽为5mhz的LTE频段13，
输入电平-97 dBm时EVM应为0.8dB，高信道条件下QPSK调制。
输入电平-50 dBm时EVM应为-16.2dB，高信道条件下调制方式为64QAM。
参考信号接收功率(RSRP)
目的是用LTE操作模式测试来自ME的RSRP。功率扫描将测试所有模拟增益设置是否正常，频率扫描将测试频率响应是否足够平坦。
权力扫描:
RSRP精度为-6至+6dB，在10 MHz(带宽)的中通道条件下，输入功率为-90至-70 dBm。
频率扫描:
RSRP精度-6到+ 6db在5 MHz带宽和输入功率-70dBm。
LTE UE射频一致性测试和性能测试
也请参考LTE UE(用户设备)射频一致性测试。它包括射频发射机、射频接收机和性能相关的LTE UE一致性测试。
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