隧道二极管vs p-n结二极管-隧道二极管和p-n结二极管之间的差异
本页比较隧道二极管vs p-n结二极管和提到之间的区别隧道二极管和p-n结二极管。这两种二极管都用作低功率器件。
| 隧道二极管 | pn二极管 |
|---|---|
| 低噪音装置 | 中等噪声装置 |
| 首选的半导体是锗和砷化镓 | 首选的半导体是锗和硅 |
| 隧穿电流由大多数载流子组成。从n侧到p侧的电子) | 电流由少数载流子组成(即从p侧到n侧的空穴) |
| p侧和n侧的掺杂水平非常高 | p侧和n侧的掺杂是正常的 |
| 反向电压值小时，导带与价带重叠大，电流流量大。它可用作变频器。 | 在一定的反向偏置电压下，漏电流非常小。击穿电压突然升高到极高。 |
| 它具有负电阻特性。因此，它是有用的反射放大器和振荡器。 | 它没有负电阻，因此用作探测器和射频混频器。 |
| 大多数载流子(电流)对电压变化的响应要快得多。这适用于微波应用。 | 大多数载流子(电流)对电压变化的反应不那么快。这只适用于低频应用。 |
请参考隧道二极管基础与应用获取更多信息。也请参考齐纳二极管作为电压调节器而且普通二极管教程．
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