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Gunn vs Impatt vs Trapatt vs Baritt- Gunn二极管,Impatt二极管,Trapatt二极管和Baritt二极管类型之间的差异

本页比较了Gunn二极管与Impatt二极管与Trapatt二极管和Baritt二极管,并提到之间的区别Gunn二极管,Impatt二极管,Trapatt二极管和Baritt二极管。


规范 耿氏振荡器 冲渡二极体 俘获二极管 Baritt二极管
带宽 射频中心频率的2% 射频中心频率的1/10 - 狭窄的
视察
频率
1 ~ 100GHz 0.5 ~ 100GHz 1至10GHz 4至8GHz
效率 - 3%在连续波,60%在脉冲模式 20 ~ 60%脉冲模式 低(约2%)
输出功率 几瓦(连续波),
100至200瓦(脉冲)
1瓦(连续波),400瓦(脉冲) 几个100瓦(脉冲) 低(mWatt)
噪声图 - 高,30 db 高,60分贝 噪声小于IMPATT二极管(<15dB)
基本的半导体 砷化镓,输入 Si, Ge, GaAs, InP 如果 硅、金属
建设 n+神经网络+砷化镓单晶 n+皮普+反向偏置p-n结 p+神经网络++或者n+p p+反向偏置p-n结 p-n-p或p-n-i-p,或p-n金属或金属-n金属
正向偏置p-n结
谐波 - 强大的
强度 是的 是的 是的 是的
大小
应用程序 振荡器 放大器、振荡器 振荡器 本地振荡器

也请参考古恩二极管基础及应用而且impattrapatt Baritt二极管基础知识有关这些二极管类型的更多信息和功能。

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