可控硅，Diac，可控硅，UJT |可控硅，Diac，可控硅，UJT之间的差异

可控硅，Diac，可控硅，UJT(单结晶体管)的异同

本页比较SCR vs Diac vs可控硅vs UJT vs晶体管并提到了相似之处之间的区别可控硅，Diac，可控硅，UJT(单结晶体管)和正常结晶体管。

可控硅

图1描述了SCR的结构和符号。
可控硅的完整形式是可控硅整流器。
•这是一个三终端设备。
•有4层半导体。
•这是一个单向开关。它只在一个方向传导电流。因此，它可以控制直流电源或它可以控制负载中正偏半周的交流输入。
•基本上可控硅只能控制交流输入的正半周或负半周。

图2描述了SCR的特性。

双向可控硅

图3描述了TRIAC的结构和符号。
•名称“TRIAC”源自“TRI”的意思是三和“AC”或交流电的组合。
•这是一个三端半导体器件。
•有5层半导体。
•可控制交流信号输入的正负半周。
•这是一个双向开关。
可控硅的正向和反向特性与可控硅器件的正向特性相似。
•可控硅的结构相当于2个独立的可控硅器件以反向并联方式连接，如图所示。
•类似于可控硅，一旦可控硅被发射到传导，栅极将失去所有控制。在这一阶段，可通过将电路中的电流降低到电流保持值以下来关闭可控硅。
可控硅相对可控硅的主要缺点是可控硅具有较低的电流能力。通常情况下，大多数triac的额定电压低于40安培，电压高达600伏特。

图4描述了可控硅的V-I特性。以下可以从可控硅特性中推导出来。
•第一象限和第三象限的VI特征除了电压和电流流方向外相同。第一象限和第三象限的特征与第一象限的SCR特征相同。
可控硅可与正(+ve)或负(-ve)门控制电压。正常工作时，栅电压在第一象限为+ve，在第三象限为-ve。

双向开关二极管

图5描述了DIAC的结构和符号。
•为双终端设备。
•3层双向装置。
•Diac可以从其关闭状态切换到应用电压的任何极性的ON状态。
DIAC可以采用PNP或NPN结构形式。图中描述了PNP形式的DIAC，其中有两个硅的p区被n区隔开。

让我们比较DIAC和晶体管，了解相似之处和DIAC和晶体管的区别．
•DIAC的结构类似于晶体管的结构。
•与晶体管不同，DIAC中没有连接基层的端子。
•与晶体管不同，DIAC中的所有三个区域在大小上是相同的。
•与双极晶体管不同，DIAC中这三个区域的掺杂浓度是相同的。这将赋予DIAC设备对称的特性。

图6描述了DIAC的特征。
请参考Diac vs Triac获取更多信息。

UJT

图7描述了UJT的结构和符号。
如图所示为两端有连接的n型硅条。引线被称为“B1”和“B2”。沿两基极之间的杆，在p型发射极和n型杆之间构造PN结。这种引线被称为“发射极引线- e”。

它是单结晶体管的缩写形式。
•采用半导体材料制成的3端子开关器件。
•当UJT被触发时，我_E重新生成，直到受V限制_E．在这里,我_E是发射极电流和V_E是发射极电源。由于这一特性，UJT被广泛应用于锯齿发生器、脉冲发生器、开关等。
•器件只有一个PN结，因此在单结晶体管(UJT)中称为“UNI”。
UJT也被称为“双基二极管”。这是因为它只有一个PN结。两个基端子由一段二极管(或半导体材料)制成。
•UJT中，发射极部分重掺杂，n区轻掺杂。因此，当发射极端打开时，两个基端之间的电阻相当高。电阻值约为5 ~ 10kohm。