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所有这些二极管功能光探测器或光电探测器。光电二极管的作用是将光信号转换为电压或电流的基于模式操作。光电二极管是在反向偏压条件设计的。它有两种操作模式viz.光电效应和光电流。

不同类型的材料用于制造光敏二极管的波长的基础上操作如下表中所提到的。请参考光电二极管和光电晶体管➤为更多的信息。

二极管设计作为光电二极管将p i n结而不是pn结。它们与窗口或包装与纤维这光将达到敏感设备的一部分。

pin二极管

图1描绘了pin二极管结构。如图所示,它非常轻掺杂层称为内在区P和N掺杂层之间。因此设备被称为pin二极管代替pn二极管。

光伏材料有很少量的dopent充当非常广泛的耗尽层。

pin二极管通常运行在任何波长短于截止波长。当光线下降,吸收光子的能量必须足够充分促进电子在能带。否则它不会吸收。材料将吸收光子的能量高于带隙能量。pin二极管在不同波长和不同的材料用于建筑。wavelenght乐队500至1000海里,1250 - 1400 nm和1500 - 1600 nm)。

肖特基势垒二极管

有时是不可能实现给定波长乐队pin二极管。而且这种二极管的性能不一样被用作光学探测器。在这些情况下,肖特基势垒光电二极管使用。

图2描绘了肖特基势垒二极管结构。如图所示薄金属层替代p区或N-region二极管。因此它被称为“金属半导体二极管”。

根据半导体和金属,形成一道屏障,这两种材料的界面。这一障碍的结果成弯曲的乐队。由于电压的应用,乐队可以弯曲或多或少。在这一地区的能带弯曲,电子空穴对可以很容易地分离。

雪崩光电二极管

增加光接收机的灵敏度的一种方法是放大。雪崩光电二极管是用来放大信号除了光学检测过程。设备操作是基于“雪崩效应”。在雪崩效应,高度加速电子将激发另一个电子的碰撞电离。

如图3和图4所示,雪崩光电二极管结构由n + pπ和p +区域。这里有两个主要地区。在区域1电子空穴对生成和分离。在区域2运营商accelared电离和影响。

•让我们理解雪崩光电二极管的实施。
•光子到达时,它会通过薄n + p结。航空公司会吸收π-region。吸收结果一代的电子空穴对这n + p地区。
•在π地区电场足够高分离载体,但它不足够高的电荷载体实现乘法发生所需的能量。
•n + p地区电场足够高。由于电荷载体强烈加速或将能量。

我们知道孔的载流子迁移率显著降低比较硅的电子迁移率。而且影响电离洞需要旅行从n p +地区+ p区域右边而电子只需要旅行到n +地区。因此这里电子的概率乘法比较远高于洞的概率乘法。因此在雪崩光电二极管电子主要贡献整体电流。

让我们理解区别雪崩光电二极管(adp)和pin二极管:

•美国基本上是一个pin二极管与很高的反向偏置电压。美国将有大约50伏特反向偏压与pin二极管反向偏置到3伏或更少(在光电导模式)。

•i-region pin二极管轻轻n型。i-region Avalance光电二极管是更名为π地区和轻p型。

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