LVDT传感器vs RVDT传感器- LVDT和RVDT之间的差异
关于LVDT传感器vs RVDT传感器的本页描述了LVDT传感器和RVDT传感器类型之间的区别。LVDT代表线性变量差动变压器和RVDT代表旋转变量差动变压器。
LVDT和RVDT都是位置或位移传感器。LVDT和RVDT都有以下优点。
•传感器是非接触式设备，没有或很小的摩擦阻力，阻力小
•磁滞和机械滞可以忽略不计
•输出阻抗非常低
对噪声和干扰的敏感性较低
•其结构坚固耐用
•可以实现无穷小分辨率
LVDT(线性可变差动变压器)传感器
位置和位移可以用电磁感应的方法来感知。两个线圈之间的磁通量耦合可以被物体的运动改变，随后转换为电压。使用非磁化铁磁介质来改变磁通路径的磁阻(磁阻)的变电感传感器被称为变磁阻传感器。
多感应换能器的基本结构包括两个线圈:初级线圈和次级线圈。初级线圈携带交流励磁，在次级线圈中产生稳定的交流电压。感应振幅取决于线圈之间的磁通耦合。
有两种改变耦合的技术。一种是由铁磁材料制成的物体在通量路径内的运动。这改变了路径的磁阻，进而改变了线圈之间的耦合。这是LVDT传感器、RVDT传感器和互感接近传感器工作的基础。另一种方法是物理上移动一个线圈相对于另一个。
LVDT是一种具有机械驱动磁芯的变压器。初级线圈由具有稳定振幅的正弦波(激励信号)驱动。正弦波消除了变压器中与误差相关的谐波。在次级线圈中感应一个交流信号。由铁磁材料制成的磁芯同轴地插入圆柱开口，而不物理地接触线圈。这两个次级在相反的相位连接。当铁心位于变压器的磁中心时，二次输出信号抵消，没有输出电压。将磁芯移离中心位置使次级磁感应磁通比不平衡，从而产生输出。随着核心的移动，通量路径的磁阻变化。因此，磁通量耦合的程度取决于磁芯的轴向位置。 At a steady state, the amplitude of the induced voltage is proportional, in the linear operating region, to the core displacement. Consequently, voltage may be used as a measure of a displacement. The LVDT provides the direction as well as magnitude of the displacement. The direction is determined by the phase angle between the primary (reference) voltage and the secondary voltage. Excitation voltage is generated by a stable oscillator.
LVDT的完整形式是线性变差动变压器。为线性传感器为了准确测量瞬态运动，振荡器的频率必须至少比运动的最高有效频率高10倍。对于变化缓慢的过程，稳定振荡器可以被耦合到60或50 Hz的电源线频率所取代。
LVDT传感器的一个有用应用是所谓的测量头，用于工具检查和测量设备。在这种情况下，LVDT的内芯是弹簧加载，以将测量头返回到预设的参考位置。
RVDT(旋转变量差动变压器)传感器
RVDT的完整形式是旋转变量差动变压器传感器。的RVDT传感器工作原理与LVDT传感器相同，除了使用旋转铁磁磁芯。RVDT传感器的主要用途是测量角位移。测量的线性范围约为+/-40度，非线性误差约为1%。
图2描述了穆格组件集团的RVDT。它基本上是一个机电换能器。它产生可变的交流输出电压与输入轴的角位移成线性比例。
当使用固定交流电源时，输出在一定的角位移范围内是线性的。
下表比较了LVDT和RVDT传感器。
| 线性可变 | RVDT |
|---|---|
| 测量范围在+/-100µm到+/-25 cm之间 | 它们在正/负40度范围内呈线性。 |
| 灵敏度等于2.4 mV/Volt/旋转度 | 灵敏度等于2到3毫伏/伏特/旋转度 |
| 输入电压有效值为1V至24V(频率范围为50hz至0khz) | 输入电压范围约为3V(频率范围为400Hz至20khz) |
有什么不同
FDM和OFDM的区别
SC-FDMA和OFDM的区别
SISO和MIMO的区别
TDD和FDD的区别
802.11标准之间的差异，即11-a,11-b,11-g和11-n
OFDM vs OFDMA
CDMA vs GSM
蓝牙vs zigbee
固定wimax vs移动
Wibro vs mobile wimax
微控制器与微处理器
FDM vs TDM
Wimax vs lte
射频外差与零差接收机