jufet和MOSFET的区别
本页介绍了磁管晶体管vs MOSFET之间的区别管式fet和MOSFET。在场效应晶体管(FET)这种单极器件中，窄通道的掺杂半导体连接源极和漏极触点。受第三个端子(称为栅极)影响的电压决定了从源(S)到漏极(D)的电流。有两种主要类型的场效应晶体管，即以下所述的颈场效应晶体管和MOSFET。
JUGFET
jufet代表结门FET。图中描述了一个n通道的jufet。该装置的作用取决于反向偏压p-n结损耗层的形成和控制。p型栅极比n型通道掺杂更重。因此损耗层位于通道本身。
在jufet中，相对于源端，漏压(VDS)为正，栅极电压(VGS)是消极的。如果VGS负增加则耗竭层变宽。这导致通道变窄，电流减少。
jufet的性能由跨电导g来定义米．它是I变化的比率D由V的变化引起的GS．
场效应晶体管
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。在jufet中，如果栅极电压为正，则这将正向偏置栅极通道p-n结。这导致输入电阻下降和大电流流动。MOSFET克服了jufet的这一缺点，正负电压都可以应用到栅极端进行操作。
图中描述了n通道MOSFET的基本符号。当VGS是负的，正的孔洞被吸引到通道区域从衬底部分。这导致通道部分电子数量的减少，因此ID会减少。这在MOSFET中被称为损耗工作模式。
在MOSFET中，如果VGS带正电，电子被吸引到n通道区域。这导致电导率增加，因此ID将会增加。这被称为MOSFET的增强操作模式。
以下参数提到这两个晶体管(jufet和MOSFET)以及基本CE结晶体管之间的差异。
| 财产 | 结型晶体管(共发射极) | JUGFET | 场效应晶体管 |
|---|---|---|---|
| 直流电流增益，h菲 | 10至1000 | - | - |
| 跨导g米 | - | 1 ~ 10ma V－1 | 1 ~ 10ma V－1 |
| 输入电阻，ri | 1 ~ 5kohm | 大于109欧姆 | 大于1012欧姆 |
| 输出电阻，ro | 10到50欧姆 | 50khm到1 MOhm | 10到50欧姆 |
MOSFET因其体积小巧而被应用于集成电路结构中。MOSFET栅极不受静电的影响，静电很容易积聚，因此会破坏氧化层的绝缘。为了避免这种情况，MOSFET通常提供金属夹短路引线。这个夹子只会在设备需要连接或焊接到电子电路之前被取下。
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