Impatt二极管、Trapatt二极管和Baritt二极管之间的区别
本页介绍Impatt二极管、Trapatt二极管和Baritt二极管之间的区别Impatt, Trapatt和Baritt二极管。1958年，WT read发现了雪崩二极管的概念。由此发现，二极管在微波频率下能产生负电阻。这是通过在反向偏置半导体区域的高场强区域使用载流子冲击电离和漂移实现的。根据这一概念，发现了冲击二极管、特拉特二极管和巴瑞特二极管三种二极管。
冲渡二极体
以下是冲渡二极体．
全称:撞击电离雪崩传输时间
由:RL约翰斯顿在1965年开发。
冲击二极管工作频率范围:4GHz ~ 200GHz
操作原理:雪崩乘法
输出功率:1w连续波和400w脉冲>
效率:3%连续波和60%脉冲低于1GHz，比gunn二极管型更高效和更强大
冲击二极管噪声图:30dB(比Gunn二极管差)
•与其他二极管相比，该微波二极管具有高功率能力。•与其他二极管相比，输出可靠。
缺点:噪声系数高，工作电流大，杂散AM/FM噪声大
冲击二极管应用:•压控冲击振荡器•低功率雷达系统•注入锁定放大器•腔稳定冲击二极管振荡器
俘获二极管
以下是俘获二极管．
全称:俘获等离子体雪崩触发凌日
由:HJ Prager于1967年开发。
工作频率范围:1 ~ 3GHz
工作原理:等离子体雪崩
输出功率:3GHz 250w, 1GHz 550w
效率:35%在3GHz和60%脉冲在1GHz
特拉特二极管噪声图:非常高的NF，约为60dB
优点:•比冲击效率高•功耗极低
缺点:•功率密度大，不适合连续波运行•NF高，约60dB•高频限制在毫米波段以下
用途:•用于微波信标•仪表着陆系统•雷达LO
Baritt二极管
以下是Baritt二极管．
全称:屏障注入传输时间
由:D J科尔曼于1971年开发。
工作频率范围:4GHz ~ 8GHz
工作原理:热离子发射
输出功率:仅几毫瓦
效率:5%(低频)，20%(高频)
巴瑞特二极管噪声图:低NF约15dB
优点:•比冲击二极管噪音小•在C波段采用巴里特放大器，NF为15dB
缺点:带宽窄，功率输出只有几兆瓦
用途:•混频器•振荡器•小信号放大
IMPATT二极管和BARITT二极管的主要区别如下。
➨在BARITT二极管中，少数载流子的漂移是由于“热离子发射”而不是IMPATT二极管中使用的“雪崩效应”。因此，与IMPATT二极管相比，BARITT二极管的噪声较小。
的优点和缺点IMPATT二极管>>，TRAPATT二极管>>而且BARITT二极管>>详细了解它们之间的区别。
Gunn二极管与Impatt, Trapatt, Baritt二极管类型的区别
请参考Gunn二极管、Impatt二极管、Trapatt二极管和Baritt二极管之间的差异
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