GUNN二极管基础知识
GUNN二极管就是其中之一微波半导体器件今天仍在使用。本页介绍GUNN二极管的基础知识及其应用。
冈氏二极管作为振荡器具有负电阻特性。为了达到这一目的，需要调整电容和分流负载电阻，但不能大于负电阻。该图描述了耿氏振荡器等效电路。这里的活动区域长约6 ~ 18 μm。其负电阻约为100欧姆，并联电容约为0.6 PF，冈氏二极管的效率仅为几个百分比。
商用GUNN didoe需要约9V的电源，工作电流为950mA，可从4GHz到100GHz频段使用。它最好放置在谐振腔中。
GUNN二极管基本上是一个TED，即能够基于不同模式振荡的转移电子器件。
在无共振传输时间模式下，无线电频率可达1-18 GHz，功率可达2瓦。在谐振有限空间充电模式下，可以实现高达100 Ghz的无线电频率和约100瓦的脉冲功率。也请参考Gunn二极管>>的工作原理．
古恩二极管优点
以下是Gunn二极管的主要优点。
•高频稳定性
更高的带宽和可靠性
•尺寸更小
•坚固耐用的操作
•供电电压低
•噪音性能类似速调管
•制造成本低
古恩二极管缺点
•高开关电压
•低于10GHz的低效率
偏压差，温度稳定性差
•微调范围小
•更高的杂散调频噪声
•更高的设备工作电流，因此更多的功耗
•在毫米波段效率和功率较低
GUNN二极管应用
Gunn didoe用于微波仪器和接收电路中的低功率和中功率振荡器
•作为参数放大器中的泵浦源
•用于警用雷达和连续波多普勒雷达
•Gunn二极管振荡器用于产生微波频率的功率，用于各种应用，如自动开门器，交通门，交通信号控制器等。
应用Note-Gunn二极管作为振荡器
请参考应用注释在冈二极管上用作振荡器。
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