FET混频器和图像拒绝混频器基本|之间的区别
本节RF混合器教程涵盖以下子主题:
RF混频器教程使用射频混频器的上变频器设计基础知识供应商平衡混频器场效应晶体管和图像拒绝混频器
关于FET混频器和图像抑制混频器的本页提到了RF混频器类型的基本知识，并说明了FET混频器和图像抑制混频器之间的区别。
场效应晶体管混合机
双平衡场效应晶体管混频器是为有源和无源应用而开发的。
活跃的场效应晶体管混合机类型基于Gilbert体系结构。他们使用偏压半导体器件。它们在低LO功率水平下工作。与无源型相比，它们提供线性度降低的转换增益。
无源场效应晶体管混频器型通常采用环形场效应晶体管四极管。它们提供了良好的线性。缺点是对高LO功率水平的要求和较高的转换损耗。这种混合器类型类似于基于二极管的双平衡混合器。这两者之间的区别是场效应晶体管混频器有6个端子如图1所示，而双平衡二极管混频器有4个端子。
FET混频器可与结型FET器件以及MOSFET器件一起使用。
图像抑制混合器
它是通过两个平衡混频器对的互连来实现的。图像拒绝混频器在图像和射频频段重叠或图像频率非常接近需要使用射频滤波器拒绝的射频频率时非常有用。
这里使用的平衡混频器的LO端口被相位驱动，但应用在RF端口的信号将有90度的相位差。使用90度混合来分离图像和射频频率。
这些混频器用于射频电路设计，因为图像抑制效果更好，LO更高。此外，图像抑制很大程度上取决于相位不匹配。如图2所示，它们使用并行射频输入和相移LO。如图所示，IF输出使用正交混合组合。所需信号(即USB)和图像频率(即LSB)在两个单独的端口上分别提供以供使用。以下是图像抑制混频器与其他射频混频器类型相比的特征/特点。
图像抑制混合器的优缺点
•图像拒绝混合器提供约20dB的图像抑制。
•这些混频器适用于低中频频率。
•图像图像混频器的缺点是设计复杂，需要更多的电流来操作。
•图像拒绝混频器的另一个缺点是在射频混频器之前在射频路径上添加了两个放大器。在这种情况下，两个射频放大器产生的图像噪声是不能被拒绝的。
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