BJT vs FET
本页关于BJT vs FET的描述之间的区别BJT和FET。它们主要由p型和n型不同的半导体材料开发而成。这些晶体管用于放大器、开关和振荡器等的设计。
以下是
以下是代表双极结晶体管。BJT为电流控制装置。
如图所示，BJT晶体管有P-N-P和N-P-N两种类型。图中还描述了这些晶体管的符号。在BJT器件中有三个终端，即发射极、基极和集电极。
•跨导gm = ε vs W/d
•截止频率fT = gm/(2pCgs)
以下是北京jt的有用特征:
•输入阻抗低，输出阻抗高。
•由于存在少数载波，设备有噪声。
•它是双极装置，由于电流流动的多数和少数载流子。
•由于泄漏电流或反向饱和电流，热稳定性较差。
•发射极掺杂最高，基极掺杂最低。
•集热器面积最大，底座面积最小。
场效应晶体管
场效应晶体管代表场效应晶体管。场效应晶体管是电压控制器件。
图中描述了P通道和N通道类型的场效应管符号。在FET器件中有三个终端。即源、漏、门。源是终端，载波通过它进入信道。排水管是载波离开通道的终端。栅极是通过向该终端施加电压来调节通道电导率的终端。
场效应晶体管被称为单极晶体管。在FET中输入电压控制输出电流，这里输入电流通常可以忽略不计。这是FET在输入不能提供太多电流时的巨大优点。
•跨导- gm = q Ie/ kBT
•截止频率- fT = 2Dn/白平衡2
以下是FET的有用特征，其中提到了BJT和FET特征之间的差异。
•这是一个大约100 MOhm以上的高输入阻抗设备。
•与BJT不同，FET用作开关时没有偏置电压。
•FET对辐射相对免疫，但BJT非常敏感。
•这是一个多数载波设备。
与BJT相比，FET的噪声较小。更适用于低电平放大器的输入级。
•与BJT相比，FET具有更高的热稳定性。
FET是单极器件。
以下是fet的主要缺点(缺点)。
•与BJT相比，FET具有相对较小的增益带宽积。
•场效应晶体管更容易损坏，因此需要小心处理。
下表提到了BJT(双极结晶体管)和FET(场效应晶体管)类型之间的差异。
| 以下是 | 场效应晶体管 |
|---|---|
| 高压增益 | 低电压增益 |
| 低电流增益 | 高电流增益 |
| 低输入阻抗 | 非常高的输入阻抗 |
| 低输出阻抗 | 高输出阻抗 |
| 产生噪音 | 低噪音产生 |
| 介质切换时间 | 快速切换时间 |
| 健壮的 | 容易受到伤害 |
| 需要零输入来关闭它 | 有些需要输入来关闭它 |
| 这是一个电流控制的设备。 | 这是一个电压控制装置。 |
| 便宜的 | 比北京jt贵。 |
| 容易产生偏见 | 难以偏颇 |
请参考SCR, DIAC, TRIAC, UJT>>之间的差异．
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