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的优势冲渡二极体|冲渡二极体的缺点

该页面包括冲渡二极体的优点和缺点。它提到冲渡二极体优势或好处和冲渡二极体缺点或缺陷。

冲渡二极体是什么?

作品简介:
这是一个两个终端半导体负电导设备。它的工作原理基于原则的两种现象viz.雪崩倍增和渡越时间效应。这是电离作用雪崩渡越时间短形式的影响。它基本上是改进版的阅读二极管装置。它是由硅碳化物由于较高的细分领域。

冲渡二极体结构

图1描绘了冲渡二极体的结构。如图所示是p的组合+- n - n+。p之间的结+尽管n和n称为雪崩区域+地区称为漂移空间。碰撞雪崩渡越时间设备有两个这样的漂移区域也可以。
引用的区别BARITT vs碰撞雪崩渡越时间和俘获二极管> >

冲渡二极体可以用于各种各样的应用程序如下。
•输出调制振荡器
•微波发生器
•接收机瞧
•参量放大器
•入侵报警网络
•调频通信发射机
•连续波多普勒雷达发射机

冲渡二极体的好处或优势

以下是或好处的优势冲渡二极体:
➨运行3到100 GHz频率范围。
➨高功率能力比较其他微波二极管。
➨它的输出是与其他微波二极管相比更可靠。
➨时充当一个窄带设备用作放大器。
➨可以作为优良的微波发生器。它可以产生载波信号的微波传输系统。

冲渡二极体的缺陷或不足

以下是该缺点冲渡二极体:
➨高噪声图由于雪崩过程和更高的操作电流。生成散粒噪声的设备由于高操作电流。通常噪声图碰撞雪崩渡越时间大约30分贝。
➨它产生杂散噪声(AM和FM)与高水平比较速调管和耿氏二极管。
➨冲渡二极体的调谐范围不如耿氏二极管。
➨俘获二极管提供效率比较低。



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