双异质结DH结构、领导工作,优点,缺点
这个页面覆盖结构,操作工作,DH的优缺点(双异质结)领导。它提到了DH(双异质结)领导的优势或福利和DH(双异质结)领导的缺点或缺陷。
DH领导结构| DH领导工作操作
•图1描绘了DH领导结构。基于砷化镓/ AlGaAs如图所示双异质结了。
•如薄层砷化镓是夹在两层AlGaAs。砷化镓轻掺杂,窄隙(烤箱)约1.43 eV。AlGaAs层宽能带(当)约2.1 eV。
•正向偏压时通过其顶部和底部接触如图,电子注入从高掺杂(n+(p) AlGaAs层中部活跃- - - - - -砷化镓层。
•注入的电子被困在中间层由于双异质结势垒(Eg2 > Eg1)现有的中间层。图中描述了正向偏压时能带图。
•电子被迫重组的洞没有太多扩散界面。他们重组的辐射能量等于带隙的砷化镓。
•电子和空穴之间的重组仅限于狭义的中心部分,内部量子效率的比较高导致单结了。
•而且砷化镓和AlGaAs晶格匹配。因此表面密度将会非常小。此外,发射光子从活跃的地区不是吸收顶部和底部AlGaAs层由于Eg2 > Eg1情况。由于以上原因,领导的DH整体性能得到改善。
DH的好处或优势(双异质结)领导
以下是或好处DH(双异质结)领导的优点:
➨它提供了更高的效率与低到高辐射比较单一homojuction (pn+)领导的类型。
基于➨发射波长的砷化镓/ AlGaAs DH led范围约。0.8到0.9µm之间。基于输入/ InGaAsP led用于0.93到1.65之间的长波长辐射µm由于最小信号衰减。
➨n-region和p区都是由宽禁带材料(如> h * V)。因此在这些地区没有吸收。它们形成光学窗口。
➨n-region和p区可以高度掺杂。
➨注入的电子和空穴被关在一个非常狭窄的活跃区域(即量子阱),n * p产品非常高。因此,辐射复合率(R)也很高。
DH的不足或缺点(双异质结)领导
以下是缺点或缺点的DH(双异质结)领导:
➨这些led在低温下是有用的。
➨它来自很小的势垒时遇到在导带电子到达p-side结。
➨增长过程中有复杂。
还引用的优势、劣势和基础的边发射了> >和表面发射了> >。
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