BARITT二极管优点| BARITT二极管缺点
本页介绍了BARITT二极管的优点和缺点。其中提到了BARITT二极管的优点或优点以及BARITT二极管的缺点或缺点。
什么是BARITT二极管?
作品简介:
它的漂移时间类似于IMPATT二极管。通过正向偏置结注入少量载流子，可以产生穿过漂移区域的空穴或电子。它的工作频率为4到8 GHz。
在BARITT二极管中，少数载流子的漂移是由于“热离子发射”而不是“雪崩效应”。因此，与IMPATT二极管相比，BARITT二极管的噪声较小。
BARITT二极管可以构造成不同的结构，即p-n-p, p-n-i-p, p-n-金属，金属-n-金属等。图1描述了p+- n - p+结构。参考差异BARITT vs IMPATT vs TRAPATT二极管>>．
下面是BARITT二极管的应用。
•混合机
•大信号振荡器
•小信号放大器
BARITT二极管的优点
以下是好处或BARITT二极管的优点：
➨与IMPATT二极管相比，由于热离子发射，它们的噪声较小。
➨它提供了大约15 dB的噪声图，作为由硅制成的BARITT放大器，并在c波段工作。
BARITT二极管的缺点或缺点
以下是BARITT二极管的缺点：
➨它的带宽相对较窄。
➨它具有较低的功率处理能力，以频率的平方成比例下降。它可以产生更低的功率输出，只有几毫瓦。
➨BARITT二极管的效率随着频率的增加而降低。低频时约为5%。
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