冈氏二极管振荡器应用说明|冈氏二极管示意图
本冈二极管振荡器应用说明涵盖了冈二极管振荡器以及冈二极管图及其电路的基本描述。
这种二极管广泛应用于高频电子电路中。它也被称为转移电子装置或TED。与其他二极管通常都有N和P掺杂区域不同，古恩二极管只有N型半导体掺杂材料。
如下图-1所示，Gunn二极管由3个区域组成，其中两个是重掺杂(N+)，一个是轻掺杂(N-)。当在Gunn二极管上施加电压时，会在器件的中间层(N-)上产生较大的电梯度。但在高电位下，中间层导电性能可以被改变，因此将降低整个器件的梯度。这将防止传导缓慢后，电流将得到减少。请参考GUNN二极管基础及应用．
Gunn二极管振荡器电路| Gunn二极管图
图描述了Gunn二极管层，传输特性和冈二极管振荡器电路．冈氏二极管图描绘了负电阻区。
这种负电阻加上引线电感和一些杂散电容导致振荡。这种弛豫型振荡在大多数情况下将有很大的振幅，这将烧毁二极管。大电容器连接在冈二极管，这将有助于避免和减少这种故障。
该特性用于在GHz和THz波段构建更高频率的振荡器。这里增加了谐振器以控制频率。
半导体二极管相关环节
GUNN二极管基础及应用
变容二极管基础及应用
PIN二极管基础知识和应用
隧道二极管基础及应用
肖特基二极管基础及应用
微波半导体器件